[实用新型]电容L形排列的双面双用硅麦克风有效
申请号: | 200920117096.4 | 申请日: | 2009-04-09 |
公开(公告)号: | CN201393299Y | 公开(公告)日: | 2010-01-27 |
发明(设计)人: | 冯金奇 | 申请(专利权)人: | 浙江新嘉联电子股份有限公司 |
主分类号: | H04R19/04 | 分类号: | H04R19/04;H04R1/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 314100浙江省嘉*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型是一种电容L形排列的双面双用硅麦克风,它有上下两端开口的框架,开口的上下两端分别封有上PCB板和下PCB板,形成一容置空腔,容置空腔内包括有MEMS晶片、IC晶片及两个电容,并贴装于下PCB板的内表面上,其特征是在上PCB板和下PCB板的外表面上都排布有相应的电路结构,在框架内壁设有突块,突块的侧面设有金属层,金属层与相应的MEMS晶片、IC晶片及两个电容连通,突块上的金属层均与在上PCB板和下PCB板外表的上触点和下触点导通,形成双面电气连接通路;所述的两个电容在框架内呈L形布置;在框架与上PCB板以及框架与下PCB板的周边接触面之间分别设有封闭的环状金属圈。该实用新型具有连接可靠、工艺处理简单,制造和使用方便,性能好的优点。 | ||
搜索关键词: | 电容 排列 双面 双用硅 麦克风 | ||
【主权项】:
1、电容L形排列的双面双用硅麦克风,它有上下两端开口的框架,开口的上下两端分别封有上PCB板和下PCB板,形成一容置空腔,容置空腔内包括有MEMS晶片、IC晶片及两个电容,并贴装于下PCB板的内表面上,其特征是在上PCB板和下PCB板的外表面上都排布有相应的电路结构,在框架内壁设有突块,突块的侧面设有金属层,金属层与相应的MEMS晶片、IC晶片及两个电容连通,突块上的金属层均与在上PCB板和下PCB板外表的上触点和下触点导通,形成双面电气连接通路;所述的两个电容在框架内呈L形布置;在框架与上PCB板以及框架与下PCB板的周边接触面之间分别设有封闭的环状金属圈。
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