[实用新型]一种半导体分立器件的引线框架无效
| 申请号： | 200920123967.3 | 申请日： | 2009-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN201518317U | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 徐祖江 | 申请（专利权）人： | 徐祖江 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315135 浙江省宁波市鄞州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体分立器件的引线框架，用于驻极体传声器的半导体分立器件组装，通过冲压或刻蚀方法图形化处理而形成。所述引线框架包含上引导排和下引导排并由中筋支撑联接；所述上引导排联接第一引出极以及载片台，下引导排联接第二引出极和第三引出极；第二引出极和第三引出极与第一引出极反方向引出，载片台在第二引出极和第三引出极的上部；所述引线框架的厚度是0.15-0.37mm。利用这种引线框架所生产的场效应器件具有双向引出极，适用于驻极体传声器以替代TO-92SP和SOT-23引线框架封装的场效应器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 分立 器件 引线 框架 | ||
【主权项】：
一种半导体分立器件的引线框架，用于驻极体传声器的半导体分立器件组装，通过冲压或刻蚀方法图形化处理而形成，其特征在于：所述引线框架包含上引导排(1)和下引导排(7)并由中筋(8)支撑联接；所述上引导排(1)联接第一引出极(2)以及载片台(3)，下引导排(7)联接第二引出极(4)和第三引出极(5)；第二引出极(4)和第三引出极(5)与第一引出极(2)反方向引出，载片台(3)在第二引出极(4)和第三引出极(5)的上部；所述引线框架的厚度是0.15-0.37mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于徐祖江，未经徐祖江许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200920123967.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
