[实用新型]薄框架三极管有效
| 申请号： | 200920132923.7 | 申请日： | 2009-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN201438465U | 公开（公告）日： | 2010-04-14 |
| 发明（设计）人： | 辛杰;王明珠 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶导电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/72 | 分类号： | H01L29/72;H01L23/495;H01L23/13 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种三极管，该三极管的框架的引脚厚度为0.35-1.20mm，框架的本体厚度为0.35-1.20mm。该三极管框架的本体厚度小于传统三极管框架的本体厚度(一般为1.27mm-1.30mm)，从而可以节省成本。 | ||
| 搜索关键词： | 框架 三极管 | ||
【主权项】：
一种三极管，包括框架及焊接在框架上的芯片，其特征在于：所述框架的引脚厚度为0.35-1.20mm，框架的本体厚度为0.35-1.20mm。
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