[实用新型]载台装置无效
申请号: | 200920168697.8 | 申请日: | 2009-08-10 |
公开(公告)号: | CN201490173U | 公开(公告)日: | 2010-05-26 |
发明(设计)人: | 罗文保 | 申请(专利权)人: | 友上科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L31/18 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 李树明 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种载台装置,其包括一载座,于该载座顶部作用面处设置一锥形的容置槽,并于其中设置一锥形的喷头,该喷头周围与容置槽面间形成气流通道,并于容置槽中心位置设置一连通外界的喷气道,且于载座作用面周缘设置数个水滴形柱杆状的抵压块,借此设计,当外界喷气装置所喷出的气体由喷气道喷入载座时,气流可经由气流通道由喷头周围倾斜向外喷出,使置放在载座上方的光电半导体薄片形工件能与载座的作用面间形成负压状态,而与周围形成压差,使工件周缘能抵于抵压块顶面而吸附定位。 | ||
搜索关键词: | 装置 | ||
【主权项】:
一种载台装置,其特征在于:包括:一载座,该载座包含一作用面位于顶部,该载座于作用面处形成一锥形状的容置槽,该容置槽包含位于作用面处形成扩大开口,以及相对于该扩大开口端形成缩小部,于该缩小部处设置一喷气道与外界连通;数个支持块,其分布设置于上述容置槽面;一喷头,其包含一平面及位于该平面周围的锥面,该喷头设置于上述容置槽中,是以锥面定位于上述数个支持块顶端,使平面位于上述载座作用面下侧而形成一高度差,而在该锥面与容置槽面之间形成气流通道;数个抵压块,该数个抵压块一端设置于上述载座的作用面周缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造