[实用新型]晶圆快速热处理设备的腔体结构有效
| 申请号： | 200920177908.4 | 申请日： | 2009-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN201540878U | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 林武郎;洪水斌;吕学礼;郑煌玉;周明源;李颖松;郭明伦;石玉光 | 申请（专利权）人： | 技鼎股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京华夏博通专利事务所 11264 | 代理人： | 刘俊 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种晶圆快速热处理设备的腔体结构，其主要包括：一具有一第一开口及第二开口的腔体、一设于该腔体的第一开口的第一启闭单元及一设于上述腔体的第二开口处的第二启闭单元；本实用新型的特征在于：该腔体以双开口的设计有别于现有的单开口方式使机台新增了腔体手动操控的功能，且拉近腔体与操作保养人员的距离，方便于机台的调整设定更有利腔体的温度验证、清洁保养等维护作业。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 热处理 设备 结构 | ||
【主权项】：
一种晶圆快速热处理设备的腔体结构，其特征在于，包括：一具有一第一开口及第二开口的腔体；一设于该腔体的第一开口的第一启闭单元；一设于上述腔体的第二开口处的第二启闭单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
