[实用新型]具有叠层封装预成型垂直结构的功率芯片无效

专利信息
申请号: 200920202798.2 申请日: 2009-12-23
公开(公告)号: CN201584411U 公开(公告)日: 2010-09-15
发明(设计)人: 刘勇;梁利华 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L23/495;H01L23/48;H01L23/31
代理公司: 杭州天正专利事务所有限公司 33201 代理人: 王兵;黄美娟
地址: 310032 *** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 具有叠层封装预成型垂直结构的功率芯片,包括第一芯片、第二芯片,漏极金属,第二芯片与引线框架连接,第一芯片焊接第一源极;引线框架的侧边设有向外引出的第二源极管脚,第二源极管脚与一漏极管脚通过环氧模塑料塑封形成一个整体,整体向上弯折、并与引线框架垂直。本实用新型具有源极、漏极和门极在封装结构的同一侧,可以直接应用,成本低廉的优点。
搜索关键词: 具有 封装 成型 垂直 结构 功率 芯片
【主权项】:
具有叠层封装预成型垂直结构的功率芯片,包括第一芯片、第二芯片,所述的第一芯片位于第二芯片之上,所述的第一芯片和第二芯片之间设有通过导体与两芯片连接的漏极金属,所述的第二芯片通过导电胶与一作为第二源极的、底部规则的引线框架连接,所述的第一芯片的上表面焊接有第一源极;其特征在于:所述的引线框架的侧边设有向外引出的第二源极管脚,所述的第二源极管脚与一漏极管脚通过环氧模塑料塑封形成一个整体,所述的整体向上弯折、并与所述的引线框架垂直;所述的漏极管脚的中部设有一外露与所述的环氧模塑料的暴露面,所述的暴露面通过导电胶与所述的漏极金属连接。
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