[发明专利]使用自动产生屏蔽与多重屏蔽层图案化单一集成电路层有效
申请号: | 200980000272.9 | 申请日: | 2009-09-01 |
公开(公告)号: | CN102160144A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 淑杰·金·刘 | 申请(专利权)人: | 新诺普系统公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/00 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 栗若木;颜涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种多重屏蔽与一种多重屏蔽层技术可用以图案化集成电路层。可使用分辨率增强技术在第一屏蔽层中定义一或多个微细线路图案,接着移除部分微细线路特征,或使用屏蔽进行移除标定。此移除/标定可包括撷取所需布局(具有包括微细线路特征与粗略特征的至少一个布局特征),且仅于沿着这些布局特征的临界维度的方向扩展布局特征。接着可使用另一屏蔽于第二屏蔽层中定义粗略特征,第二屏蔽层是形成在图案化的第一屏蔽层上。粗略特征可从所需布局使用收缩/成长操作而得,该操作仅执行于与微细线路特征的临界维度正交的方向中。可使用由图案化的第一与第二屏蔽层的复合屏蔽来图案化集成电路层。 | ||
搜索关键词: | 使用 自动 产生 屏蔽 多重 图案 单一 集成电路 | ||
【主权项】:
一种用于转移一电路设计布局至一集成电路(IC)层的方法,该方法包括:使用一分辨率增强技术(RET)以于一第一屏蔽层中定义一或多个微细线路图案,其中该第一屏蔽层是形成在所述集成电路层上,其中各微细路线图案的每一个特征所具有的一维度小于用于定义该微细线路图案的一光波长,其中各微细线路图案的一线距小于或等于该波长;移除或标定该微细线路图案的移除部分,以及保护在该第一屏蔽层中所定义的该微细线路特征的所需特征,其中对移除部分的移除或标定包括撷取该集成电路层的一所需布局,并仅于沿着该所需布局中一临界维度的方向上扩展该所需布局的各布局特征;图案化该第一屏蔽层,藉以形成一图案化的第一屏蔽层;在该图案化的第一屏蔽层的上方形成一第二屏蔽层;在该第二屏蔽层中定义该电路设计布局的多个粗略特征,其中至少一粗略特征是为连接两个微细线路特征而形成;图案化该第二屏蔽层;以及利用由该图案化的第一屏蔽层与该图案化的第二屏蔽层所形成的一复合屏蔽来图案化该集成电路层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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