[发明专利]半导体发光器件及用于制造该器件的方法有效
| 申请号： | 200980000570.8 | 申请日： | 2009-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101849298A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 丁焕熙 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杜诚;李春晖 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 实施例涉及一种半导体发光器件及包括该器件的发光装置。根据实施例的半导体发光器件包括：多个发光单元，包括多个化合物半导体层；所述发光单元上的多个欧姆接触层；所述欧姆接触层上的第一绝缘层；电气连接到所述发光单元中的第一发光单元的第二电极层；以及串联地连接所述发光单元的多个互连层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：多个发光单元，包括多个化合物半导体层；所述发光单元上的多个欧姆接触层；所述欧姆接触层上的第一绝缘层；电气连接到所述发光单元的第一发光单元的第二电极层；以及串联地连接所述发光单元的多个互连层。
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