[发明专利]成膜装置无效
| 申请号： | 200980100392.6 | 申请日： | 2009-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101809197A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 齐藤隆雄;寺泽达矢 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/54 | 分类号： | C23C16/54;C23C16/50;C23C16/515 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种成膜装置，其具有：包含两个电极在该两个电极之间产生等离子体通过DLC膜覆盖基板(90)的成膜部(54)；设置了多个该成膜部(54)的室(12)；以及具有电气电路(62)的脉冲电源部(60)，该电气电路(62)对这些多个成膜部(54)分别一一设置，在成膜部(54)的支撑电极(51)和对向电极(52)之间施加直流脉冲电压。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 | ||
【主权项】：
一种成膜装置，其使用伴随等离子体中的离子移动而生成的规定的膜，覆盖由体积电阻率小于硅的金属材料形成的多个被处理物，其特征在于，具备：成膜部，其具备作为产生所述等离子体的电极的一方的、支撑所述被处理物的支撑电极，以及作为产生所述等离子体的电极的另一方的、与该支撑电极分离并且与该支撑电极对向的对向电极；设置了多个所述成膜部的封闭空间；对各个所述成膜部每个设置了一个，且在所述支撑电极和所述对向电极之间施加电压的单独电源。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
