[发明专利]半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200980100473.6 | 申请日： | 2009-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101874310A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 丁焕熙 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/62;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李春晖;李德山 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 半导体发光器件和相应的制造方法，其中，半导体发光器件包括发光结构、第二电极层、绝缘层和突出部。发光结构包括第二导电半导体层、在第二导电半导体层下的有源层和在有源层下的第一导电半导体层。第二电极层在发光结构上形成。绝缘层沿着发光结构的顶表面的外周来形成。突出部从绝缘层的下表面突出到第一导电半导体层的上部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：包括第二导电半导体层、在所述第二导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第一导电半导体层的发光结构；具有在所述发光结构上的第一部分的电极层；以及沿着所述发光结构的顶表面的外周并在所述电极层的第二部分下的绝缘层，其中所述绝缘层包括从所述绝缘层的下表面通过所述第二导电半导体层和所述有源层突出到所述第一导电半导体层的上部分内的突出部。
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