[发明专利]具有减小的电荷通量的非易失性存储器有效
| 申请号： | 200980101789.7 | 申请日： | 2009-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN101911209A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 罗纳德·J·希兹德克 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/10;G11C16/16;G11C16/12;G11C16/14 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 刘光明;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种方法，该方法包括：使用第一通量对集成电路(10)的第一非易失性存储器(NVM)位(114)进行编程/擦除循环，其中所述第一NVM位具有第一跨导。该方法还包括：使用第二通量对集成电路的第二NVM位(112)进行编程/擦除循环，其中所述第二NVM位具有第二跨导，并且其中所述第一跨导大于所述第二跨导，并且所述第二通量大于所述第一通量。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减小 电荷 通量 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：使用第一通量对集成电路的第一非易失性存储器(NVM)位进行编程/擦除循环，其中，所述第一NVM位具有第一跨导；以及使用第二通量对所述集成电路的第二NVM位进行编程/擦除循环，其中，所述第二NVM位具有第二跨导，并且其中，所述第一跨导大于所述第二跨导并且所述第二通量大于所述第一通量。
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