[发明专利]固体摄像装置以及包括其的X射线CT装置

摘要

本发明涉及固体摄像装置等，其具备即使在任意的读取用配线或行选择用配线断线的情况下也可获得高解析度的图像的结构。该固体摄像装置(1)具备具有二维配置成M行N列的矩阵状的M×N个像素部(P1，1～PM，N)的受光部(10)。受光部(10)的像素部(Pm，n)包含产生与入射光强度对应的量的电荷的光电二极管(PD)以及与该光电二极管(PD)连接的读取用开关(SW1)。像素部(Pm，n)占据大致正方形的区域，该区域的绝大部分为光电二极管(PD)的区域。在该区域的一个角部形成有作为读取用开关(SW1)的场效应晶体管。在由像素部所夹的区域连续地形成有通道停止器(CS)。在由彼此邻接的任意的2×2个像素部所包围的区域形成有由通道停止器(CS)所包围的虚拟用光电二极管(PD1)。

主权项

一种固体摄像装置，其特征在于，具备：受光部，其具有以构成M(2以上的整数)行N(2以上的整数)列的矩阵的方式二维排列的M×N个像素部P1，1～PM，N，且所述像素部P1，1～PM，N分别包含产生对应于入射光强度的量的电荷的光电二极管和连接于该光电二极管的读取用开关，所述受光部中的像素部Pm，n(m是1以上M以下的整数，n是1以上N以下的整数)所包含的光电二极管，由第1导电型的第1半导体区域和形成在该第1半导体区域上的第2导电型的第2半导体区域所构成，所述受光部具有：通道停止器，其设置于分别由所述像素部P1，1～PM，N所夹的区域，且由杂质浓度比所述第1半导体区域高的第1导电型的第3半导体区域所构成，并且所述受光部包含：第1虚拟用光电二极管，其在由所述通道停止器所包围的状态下设置在由所述像素部P1，1～PM，N中彼此邻接的任意的2×2个像素部所包围的区域，且由所述第1半导体区域和形成在该第1半导体区域上的第2导电型的第4半导体区域所构成。