[发明专利]用于制造电子器件的方法和电子器件有效

专利信息
申请号: 200980103673.7 申请日: 2009-01-29
公开(公告)号: CN101933174A 公开(公告)日: 2010-12-29
发明(设计)人: C·施米德;T·施伦克;H·朱尔;R·佩佐尔德;M·克莱因;K·霍伊泽尔 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张涛;李家麟
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 一种用于制造电子器件的方法,该电子器件具有用于封装该器件的阻挡层,该方法尤其具有如下步骤:提供具有至少一个功能层(22)的衬底(1),借助于等离子体增强原子层沉积(PEALD)将至少一个第一阻挡层(3)涂覆在功能层(22)上,以及借助于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)将至少一个第二阻挡层(4)涂覆在功能层(22)上。
搜索关键词: 用于 制造 电子器件 方法
【主权项】:
一种用于制造电子器件的方法,该电子器件具有用于封装该器件的阻挡层,该方法具有如下步骤: 提供具有至少一个功能层(22)的衬底(1), 借助于等离子体增强原子层沉积(PEALD)将至少一个第一阻挡层(3)涂覆在功能层(22)上,以及 借助于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)将至少一个第二阻挡层(4)涂覆在功能层(22)上。
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