[发明专利]具有受控形态的掺杂二氧化铈研磨剂及其制备无效
| 申请号： | 200980104643.8 | 申请日： | 2009-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN101970347A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 约克·德梅塞马克;斯特金·普特;德克·万格奈希滕;伊维斯·范罗姆帕伊;丹尼尔·内利斯;伊万·施特劳芬;古斯塔夫·万滕德洛 | 申请（专利权）人： | 尤米科尔公司 |
| 主分类号： | C01B17/00 | 分类号： | C01B17/00;C09K3/14 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张珂珂;郭国清 |
| 地址： | 比利时*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | 本发明涉及掺杂的二氧化铈(CeO2)研磨剂颗粒，具有基本为八面体的形态。这种研磨剂用在水基浆料中用于化学机械抛光(CMP)基材，如硅晶片。本发明更具体地涉及钇掺杂的二氧化铈颗粒，其比表面积为10到120m2/g，其特征在于至少95wt％、优选至少99wt％的颗粒是单晶，还在于颗粒的表面包含超过70％、优选超过80％的与{111}面平行的面。还公开了用于合成这种产物的新的气相方法，包括步骤：提供热气流，和向上述气流中引入含铈反应物、含掺杂剂反应物和含氧反应物，选择所述气流的温度以雾化所述反应物，选择反应物以在冷却时形成掺杂的二氧化铈颗粒。基于上述二氧化铈的研磨剂浆料提供了抛光基材中低的诱发缺陷率，同时确保良好的去除率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 受控 形态 掺杂 氧化 研磨剂 及其 制备 | ||
【主权项】：
比表面积为10到120m2/g的钇掺杂的二氧化铈颗粒，其特征在于，至少95wt％、优选至少99wt％的颗粒是单晶的，并且在于所述颗粒的表面包含超过70％、优选超过80％的与{111}面平行的面。
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