[发明专利]半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200980104751.5 | 申请日： | 2009-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101939860A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 丁焕熙 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括：包括多个化合物半导体层的发光结构，在发光结构外部的钝化层，在发光结构上的第一电极层，和在发光结构下的第二电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：包括多个化合物半导体层的发光结构；在所述发光结构外部的钝化层；在所述发光结构上的第一电极层；和在所述发光结构下的第二电极层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司，未经LG伊诺特有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980104751.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：耐超低温聚碳酸酯树脂组合物
- 下一篇：用于模塑流体填充结构的方法和模型
