[发明专利]在室温下运行的单电子晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200980104924.3 | 申请日： | 2009-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101946326A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 崔重范;辛承俊 | 申请（专利权）人： | 忠北国立大学产学合作基金会 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;熊须远 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在室温下运行的单电子晶体管及其制造方法。更具体地来说，本发明涉及一种在室温下运行的单电子晶体管及其制造方法，其中，形成了采用纳米结构的量子点或硅化物量子点，并且栅极置于量子点上，从而使得对隧道阻挡层的影响最小化，并且提高了对量子点的电位控制的有效性以及晶体管的操作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 室温 运行 电子 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种在室温下运行的单电子晶体管(SET)的制造方法，该方法包括：第一步，在基板的上导电层(200)之上形成纳米线结构，在所述基板中堆叠下导电层(100)、第一绝缘薄膜(10)和所述上导电层(200)；第二步，使用所述纳米结构(21)作为掩模向所述上导电层(200)注入杂质；第三步，在所述上导电层(200)之上形成第二绝缘薄膜(30)，从而覆盖所述纳米结构(21)；第四步，蚀刻所述上导电层(200)和所述第二绝缘薄膜(30)，从而形成量子点(211)；第五步，通过热氧化处理形成所述第三绝缘薄膜G，以包围所述量子点(211)；以及第六步，在所述量子点(211)之上形成栅极G。
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