[发明专利]包含耐栅极短路的鳍式晶体管的装置及其制作方法有效
| 申请号： | 200980105433.0 | 申请日： | 2009-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101952948A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 沃纳·云林 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示方法、系统及装置，其包含一种包含以下动作的方法：在衬底(102、210)中蚀刻行间沟槽(144、220)；用电介质材料(150、222)大致或完全地填充所述行间沟槽(144、220)；及至少部分地通过在所述衬底(102、210)中蚀刻栅极沟槽(164、238)来形成鳍(190、258)及绝缘突出部(168、242)。在一些实施例中，所述绝缘突出部(168、242)包含所述行间沟槽(144、220)中的所述电介质材料(150、222)中的至少一些电介质材料。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 栅极 短路 晶体管 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种方法，其包括：在衬底中蚀刻行间沟槽；用电介质材料大致或完全地填充所述行间沟槽；及至少部分地通过在所述衬底中蚀刻栅极沟槽来形成鳍及绝缘突出部，其中所述绝缘突出部包含所述行间沟槽中的所述电介质材料中的至少一些电介质材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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