[发明专利]半导体芯片及半导体装置无效

专利信息
申请号: 200980105765.9 申请日: 2009-02-16
公开(公告)号: CN101952956A 公开(公告)日: 2011-01-19
发明(设计)人: 间渊义宏 申请(专利权)人: 株式会社理技独设计系统
主分类号: H01L21/822 分类号: H01L21/822;H01L21/60;H01L25/04;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18;H01L27/04
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;朱丽娟
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供一种半导体芯片,其可以在极力地减少电极数的同时,保持在组装时的与组装基板的平行度,防止接触不良,并且还可以控制半导体电路的破坏。比如说,其设置有由保持着预定的间隙而相对的各存储器池22A~22D之间所形成的十字形的连接凸块配置区域(23)。因而,在十字形的连接凸块配置区域(23)的区域(23A),信号输入输出用的连接凸块(21A)(第1电极)形成群被配置。另外,在与该信号输入输出用连接凸块(21A)所形成的区域(23A)呈正交的区域(23B)里,通过配置电力·接地用连接凸块(21B)的群,在把该存储装置芯片(20)往配线芯片(10)上组装的时候,该电力·接地用连接凸块(21B)支撑着该存储芯片(20)的倾斜(通过焊锡而支撑),用最小限度的凸块数保持着平行度。这样,比如说,构成了存储装置芯片(20)。
搜索关键词: 半导体 芯片 装置
【主权项】:
一种半导体芯片,其具备有:第1~第4半导体电路形成区域,其是分别形成有半导体电路的矩形的4个区域,按照使正交的2边保持预定的间隙相对的方式设置;十字形的电极配置区域,由相互的前述第1~第4半导体电路形成区域间所形成的间隙所构成,而且由正交的两个第1~第2区域所构成;第1电极群,其配置在前述十字形的电极配置区域中的前述第1区域内的至少一个部分中,与前述半导体电路连接,对前述半导体电路供给电力或信号;以及第2电极群,其配置在前述十字形的电极配置区域中的前述第二区域内的至少一个部分中,与前述半导体电路连接,对前述半导体电路供给电力或信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社理技独设计系统,未经株式会社理技独设计系统许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980105765.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top