[发明专利]半导体设备以及半导体设备的制造方法无效

专利信息
申请号: 200980107640.X 申请日: 2009-02-26
公开(公告)号: CN101960608A 公开(公告)日: 2011-01-26
发明(设计)人: 古屋敷纯也;吉川则之;福田敏行;丝冈敏昌;宇辰博喜 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L31/02 分类号: H01L31/02;H01L21/60;H01L23/28
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供半导体设备以及半导体设备的制造方法。其中,通过在包围半导体元件的受光部的部分设置绝缘体并在其外侧设置密封树脂,使得绝缘体在从受光部观察的状态下向外侧翘曲,从而漫反射的光不会再次返回半导体元件的受光部。
搜索关键词: 半导体设备 以及 制造 方法
【主权项】:
一种半导体设备,其包括半导体元件和搭载该半导体元件的基板,其中,所述半导体元件在一面上具备受光部和接合焊盘,该一面的背面侧搭载在所述基板上,在搭载所述半导体元件一侧的面即所述基板的搭载面上形成有引出电极,所述接合焊盘和所述引出电极通过金属细线连接,在所述半导体元件的所述一面上设置有存在于所述受光部和所述接合焊盘之间且包围该受光部的第一绝缘体,所述接合焊盘和所述金属细线通过密封树脂密封,在所述半导体元件的所述一面上,所述第一绝缘体的外周与所述密封树脂接触,面向所述受光部且包围该受光部的所述第一绝缘体的内周壁,具有随着远离所述半导体元件的所述一面而开口面积变大的锥形形状。
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