[发明专利]半导体设备以及半导体设备的制造方法无效
申请号: | 200980107640.X | 申请日: | 2009-02-26 |
公开(公告)号: | CN101960608A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | 古屋敷纯也;吉川则之;福田敏行;丝冈敏昌;宇辰博喜 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L21/60;H01L23/28 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供半导体设备以及半导体设备的制造方法。其中,通过在包围半导体元件的受光部的部分设置绝缘体并在其外侧设置密封树脂,使得绝缘体在从受光部观察的状态下向外侧翘曲,从而漫反射的光不会再次返回半导体元件的受光部。 | ||
搜索关键词: | 半导体设备 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体设备,其包括半导体元件和搭载该半导体元件的基板,其中,所述半导体元件在一面上具备受光部和接合焊盘,该一面的背面侧搭载在所述基板上,在搭载所述半导体元件一侧的面即所述基板的搭载面上形成有引出电极,所述接合焊盘和所述引出电极通过金属细线连接,在所述半导体元件的所述一面上设置有存在于所述受光部和所述接合焊盘之间且包围该受光部的第一绝缘体,所述接合焊盘和所述金属细线通过密封树脂密封,在所述半导体元件的所述一面上,所述第一绝缘体的外周与所述密封树脂接触,面向所述受光部且包围该受光部的所述第一绝缘体的内周壁,具有随着远离所述半导体元件的所述一面而开口面积变大的锥形形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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