[发明专利]具有到单个导电柱的一对存储器单元串的存储器阵列

摘要

本发明揭示存储器阵列及形成存储器阵列的方法。一个此类存储器阵列(104)具有共享单个导电柱(230)的第一串联耦合第一存储器单元(450)串及第二串联耦合第二存储器单元(450)串，所述单个导电柱(230)形成用于两个串联耦合存储器单元(450)串的沟道。举例来说，第一存储器单元(450)可具有在所述导电柱(230)的第一侧上的第一控制栅极(424)及插入在所述导电柱(230)的所述第一侧与所述第一控制栅极(424)之间的第一电荷陷阱(229)。第二存储器单元(450)可具有在所述导电柱(230)的第二侧上的第二控制栅极(424)及插入在所述导电柱(230)的所述第二侧与所述第二控制栅极(424)之间的第二电荷陷阱(229)。所述第一与第二电荷陷阱(229)彼此电隔离且所述第一与第二控制栅极(424)可彼此电隔离。

主权项

一种存储器阵列(104)，其包括：第一对电隔离激活线(4242，2、4242，3)，其形成在一个或一个以上导电柱(230)的相对侧上；第二对电隔离激活线(4241，2、4241，3)，其形成在所述一个或一个以上导电柱(230)的相对侧上；及多个电荷存储节点(229)，其中每一电荷存储节点(229)插入在所述导电柱(230)中的相应一者与所述激活线(4242，2、4242，3、4241，2、4241，3)中的相应一者之间；其中存储器单元(4501，2)及存储器单元(4501，1)形成第一串联耦合存储器单元串的至少一部分，所述存储器单元(4501，2)形成在所述第一对激活线(4242，2、4242，3)中的第一者(4242，2)与所述导电柱(230)中的给定一者的交叉点处，所述存储器单元(4501，1)形成在所述第二对激活线(4241，2、4241，3)中的第一者(4241，2)与所述导电柱(230)中的所述给定一者的交叉点处；且其中存储器单元(4502，2)及存储器单元(4502，1)形成第二串联耦合存储器单元串的至少一部分，所述存储器单元(4502，2)形成在所述第一对激活线(4242，2、4242，3)中的第二者(4242，3)与所述导电柱(230)中的所述给定一者的交叉点处，所述存储器单元(4502，1)形成在所述第二对激活线(4241，2、4241，3)中的第二者(4241，3)与所述导电柱(230)中的所述给定一者的交叉点处。