[发明专利]半导体器件

摘要

在设置了JTE层的终端结构中，在半导体层与绝缘膜的界面存在的能级以及缺陷、或者绝缘膜中或从外部通过绝缘膜而浸入至半导体界面的微量的外来杂质成为泄漏电流的产生源以及屈服点，使耐压劣化。本发明的半导体器件具备：在n+型半导体基板(1)上成膜的n-型半导体层(2)；在n-型半导体层上形成的作为肖特基电极而发挥功能的第一电极(3)；在第一电极的端部(3E)及其周边的n-型半导体层表面形成的第一p型半导体层的GR层(4)；在n-型半导体层的表面(2S)与GR层离开间隔地在GR层的周围环状地配置的槽(9)的底部(9B)以及侧面(9S)形成的由第二p型半导体层构成的JTE层(5)；以覆盖GR层和JTE层的方式设置的绝缘膜(7)；以及在n+型半导体基板的背面形成的作为欧姆电极的第二电极(6)。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，具备：第一导电型的半导体层；形成在所述半导体层的主面上的电极；在所述半导体层的所述主面内从位于所述电极的端部以及所述端部的周边部的正下方的部分朝向所述半导体层的内部而形成、并且以包围所述电极的方式形成的第二导电型的保护环层；以从所述保护环层离开间隔地包围所述保护环层的方式，在所述半导体层的所述主面内从比所述端部周边部靠外侧的部分朝向所述半导体层的内部而形成的由至少一个构成的槽；从所述至少一个槽的底部朝向所述半导体层的内部，以包围所述保护环层的方式形成的由至少一个构成的所述第二导电型的JTE层；以及以覆盖所述保护环层的表面以及所述至少一个JTE层的表面的方式形成在所述半导体层的所述主面上的绝缘膜。