[发明专利]可缩放电可擦除及可编程存储器有效
| 申请号： | 200980109882.2 | 申请日： | 2009-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN101978501A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | S·S·吉奥格舒;A·P·考斯敏;G·萨玛兰多 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;钱静芳 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器包括一个或多个EEPROM单元对。每一EEPROM单元对包括三个晶体管并存储两个数据位，从而实际上提供1.5晶体管EEPROM单元。EEPROM单元对包括第一非易失性存储器晶体管、第二非易失性存储器晶体管和源极存取晶体管。源极存取晶体管包括：与第一非易失性存储器晶体管的源极区连续的第一源极区、与第二非易失性存储器晶体管的源极区连续的第二源极区、以及与位于与EEPROM单元对相同的行中的其他非易失性存储器晶体管的源极区连续的第三源极区。 | ||
| 搜索关键词： | 缩放 擦除 可编程 存储器 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器阵列，包括：一个或多个电可擦除及可编程存储器(EEPROM)单元对，每一单元对被配置成存储两个数据位，并且包括：具有由栅极间介电层与控制栅极结构分开的浮动栅极结构的第一非易失性存储器晶体管；具有由栅极间介电层与控制栅极结构分开的浮动栅极结构的第二非易失性存储器晶体管；以及具有与控制栅极结构电连接的浮动栅极结构的源极存取晶体管，所述源极存取晶体管位于第一阱区中并且耦合到所述第一非易失性存储器晶体管的源极和所述第二非易失性存储器晶体管的源极，其中第一阱区位于第二阱区中。
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