[发明专利]半导体存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200980110708.X | 申请日： | 2009-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101981689A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 清利正弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/10;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种其中通过三维地排列基元来改善位密度的半导体存储器及其制造方法。在半导体存储器(1)中，在硅衬底(11)上设置多个栅极电极膜(21)。栅极电极膜(21)沿与硅衬底(11)的上表面平行的一个方向(X方向)排列。每个栅极电极膜(21)具有栅格状的板的形状，并且以从X方向观察时为矩阵的形式形成多个通孔(22)。此外，多个硅梁(23)被设置为使得这些梁贯穿栅极电极膜(21)上的通孔(22)并沿X方向延伸。此外，在栅极电极膜(21)与硅梁(23)之间设置包括电荷积累层的ONO膜(24)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器，包括：衬底；多个栅极电极膜，其被设置在所述衬底上，沿与所述衬底的上表面平行的一个方向排列，并包括沿所述一个方向观察到的多个通孔；多个半导体梁，其通过所述多个栅极电极膜的所述通孔而沿所述一个方向延伸；以及电荷存储层，其被设置在所述栅极电极膜与所述半导体梁之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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