[发明专利]发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200980111138.6 | 申请日： | 2009-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN102037575A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 宋俊午 | 申请（专利权）人： | 宋俊午 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 根据本发明的实施例，发光元件包括：支撑衬底；第二电极层，该第二电极层在支撑衬底上；电流扩展层，该电流扩展层在支撑衬底上；第二导电半导体层，该第二导电半导体层在第二电极层和电流扩展层上；有源层，该有源层在第二导电半导体层上；第一导电半导体层，该第一导电半导体层在有源层上；以及第一电极层，该第一电极层在第一导电半导体层上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光元件，包括：支撑衬底；第二电极层，所述第二电极层被形成在所述支撑衬底上；电流扩展层，所述电流扩展层被形成在所述支撑衬底上；第二导电半导体层，所述第二导电半导体层被形成在所述第二电极层和所述电流扩展层上；有源层，所述有源层被形成在所述第二导电半导体层上；第一导电半导体层，所述第一导电半导体层被形成在所述有源层上；以及第一电极层，所述第一电极层被形成在所述第一导电半导体层上。
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