[发明专利]基板的异常载置状态的检测方法、基板处理方法、计算机可读取的存储介质以及基板处理装置有效
申请号: | 200980112315.2 | 申请日: | 2009-09-25 |
公开(公告)号: | CN101990707A | 公开(公告)日: | 2011-03-23 |
发明(设计)人: | 茅野孝;五味晓志;宫下晃一;长泽稔;江田淑惠 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C23C16/52;H01L21/02;H01L21/324;H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/31 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;舒艳君 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 基板(W)的异常载置状态的检测方法,用于对在设有加热器(6a、6b)的基板载置台(3)上载置的基板(W)加热的同时进行加热时,检测该基板(W)的载置状态的异常。上述基板(W)的异常载置状态的检测方法,包括:在处理一张基板(W)的期间,根据向上述加热器(6a、6b)供给的电力输出的信息或上述基板载置台(3)的计测温度的信息,检测上述电力输出或上述计测温度的最大值及最小值或上述电力输出或上述计测温度的累计值的工序;和根据检测出的上述最大值及上述最小值或检测出的上述累计值判定上述基板的异常载置状态的工序。 | ||
搜索关键词: | 异常 状态 检测 方法 处理 计算机 读取 存储 介质 以及 装置 | ||
【主权项】:
一种基板的异常载置状态的检测方法,对在设有加热器的基板载置台上载置的基板加热的同时进行处理时,检测该基板的载置状态的异常,其特征在于,包括:在处理一张基板的期间,根据向上述加热器供给的电力输出的信息或上述基板载置台的计测温度的信息,检测上述电力输出或上述计测温度的最大值及最小值、或上述电力输出或上述计测温度的累计值的工序;和根据检测出的上述最大值及上述最小值、或检测出的上述累计值判定上述基板的异常载置状态的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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