[发明专利]电子材料用清洗水、电子材料的清洗方法及溶气水的供给系统有效
| 申请号： | 200980113462.1 | 申请日： | 2009-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102007579A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 井田纯一;床岛裕人 | 申请（专利权）人： | 栗田工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B08B3/08;C11D7/02;C11D17/08;G02F1/13;G02F1/1333;G03F1/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 熊玉兰;高旭轶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种发挥与以往的溶气水相比格外高的清洗效果的电子材料用清洗水。其是包含含有氧及氩作为溶解气体的溶气水的电子材料用清洗水，其中，溶解氧浓度为8mg/L以上，含有相对于溶解氧气量及溶解氩气量的合计量为2体积％以上的溶解氩气。本发明还提供使用该电子材料用清洗水清洗电子材料的方法。包含溶解氧/氩气的水的本发明的电子材料用清洗水，即使溶解气体量少或使用的化学品量少，也可以得高清洗效果，因此可以安全容易且价格低廉地制造。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 材料 清洗 方法 溶气水 供给 系统 | ||
【主权项】：
电子材料用清洗水，其是包含含有氧及氩作为溶解气体的溶气水的电子材料用清洗水，其特征在于，溶解氧浓度为8mg/L以上，含有相对于溶解氧气量及溶解氩气量的合计量为2体积％以上的溶解氩气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
