[发明专利]被曝光基板用防水剂组合物、抗蚀图形的形成方法及利用该形成方法制造的电子器件、被曝光基板的防水处理方法、被曝光基板用防水剂套装以及使用该套装的被曝光基板的防水处理方法无效
申请号: | 200980114703.4 | 申请日: | 2009-02-20 |
公开(公告)号: | CN102027570A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 石桥健夫;寺井护;萩原琢也;横小路修;武部洋子 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社;旭硝子株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/09 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 卢曼;李炳爱 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: |
本发明提供可抑制由浸渍液所导致的被曝光基板背面的污染并且可提高被加工膜与其正上方的有机膜的附着性以抑制膜剥离且操作性优良的被曝光基板用防水剂组合物、抗蚀图形的形成方法及通过该形成方法制造的电子器件、被曝光基板的防水处理方法、被曝光基板用防水剂套装以及使用该套装的被曝光基板的防水处理方法。本发明使用被曝光基板用防水剂组合物,该组合物至少包含以下述通式(1)表示的有机硅化合物和溶剂。式中,R1为碳原子数14~30的1价有机基团,R2、R3、R4分别独立地为碳原子数1~10的1价有机基团或水解性基团,R2、R3、R4中的至少1个为水解性基团。 |
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搜索关键词: | 曝光 基板用 防水剂 组合 图形 形成 方法 利用 制造 电子器件 防水 处理 套装 以及 使用 | ||
【主权项】:
1.被曝光基板用防水剂组合物,其中,至少包含以下述通式(1)表示的有机硅化合物和溶剂,
式中,R1为碳原子数14~30的1价有机基团,R2、R3、R4分别独立地为碳原子数1~10的1价有机基团或水解性基团,R2、R3、R4中的至少1个为水解性基团。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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