[发明专利]氮化硼与硼-氮化物衍生材料的沉积方法无效
| 申请号： | 200980114768.9 | 申请日： | 2009-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102017081A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 米哈拉·鲍尔西努;克里斯多佛·丹尼斯·本彻;咏梅·陈;伊萨贝丽塔·罗夫洛克斯;夏立群;德里克·R·维迪;立岩·苗;维克多·恩古源 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种方法和设备来形成邻接基板结构的间隔物材料。在一实施方式中，提供一种处理基板的方法，包括将一具有邻接基板表面的基板结构的基板放到沉积腔室内、沉积间隔层至基板结构和基板表面、以及蚀刻间隔层而露出基板结构和部分基板表面，其中间隔层被设置邻接基板结构。间隔层可包含氮化硼材料。间隔层可包含基底间隔层和衬底层，间隔层可以二步骤的蚀刻工艺蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 氮化物 衍生 材料 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种处理一基板的方法，该方法包含：将一基板放到一沉积腔室内，所述基板具有邻接基板表面的基板结构；沉积一间隔层至该基板结构和基板表面上；以及蚀刻该间隔层而露出基板结构和一部分的基板表面，其中经蚀刻的间隔层的一部分仍邻接基板结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
