[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200980115276.1 | 申请日： | 2009-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN102217073A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 山下贤哉;工藤千秋 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，具备：由宽带隙半导体构成的基板(2)以及漂移层(3a)；p型阱(4a)以及第1n型杂质区域(5)，设置在漂移层内；源极电极(5)，与第1n型杂质区域(5)电连接；第2n型杂质区域(30)，设置在阱(4a)与相邻的单元部件U的阱(4a)之间；栅极绝缘膜(7b)，分别设置在第2n型杂质区域、阱(4a)、以及第1n型杂质区域的至少一部分之上；栅极电极(8)，其设置在栅极绝缘膜上；第3n型杂质区域(31)，形成在漂移层中、与第2n型杂质区域相邻并且包含单元部件顶点的位置，杂质浓度比漂移层高并且比第2n型杂质区域低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括以至少一维方式配置的多个单元部件，其特征在于，各单元部件具备：基板，由宽带隙半导体构成；n型漂移层，其形成于所述基板上，由所述宽带隙半导体构成；p型阱，设置在所述漂移层内；第1n型杂质区域，设置在所述阱内；源极电极，与所述第1n型杂质区域电连接；第2n型杂质区域，设置在所述漂移层中、所述阱和相邻的单元部件的阱之间，杂质浓度比所述漂移层高；栅极绝缘膜，其设置在所述第2n型杂质区域的至少一部分上、所述阱的至少一部分上、以及所述第1n型杂质区域的至少一部分上；栅极电极，设置在所述栅极绝缘膜上；和第3n型杂质区域，形成在所述漂移层中、在与所述第2n型杂质区域相邻并且从所述漂移层的表面在厚度方向观察所述漂移层时包含所述单位部件顶点的位置，其杂质浓度比所述第2n型杂质区域低。
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