[发明专利]通过分子键合组装晶片的方法无效
| 申请号： | 200980115478.6 | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN102017074A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | M·布鲁卡特;B·阿斯帕尔;C·拉加和;T·巴尔热 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L27/146;H01L25/065;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;靳强 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种通过分子键合来键合两个晶片(20，30)的方法，其中从施加到两个晶片的至少其中之一(30)上的压力点(43)引发第一键合波传播，之后在涵盖压力点(43)的区域上引发第二键合波传播。可以通过在两个晶片之间嵌入分隔元件(41)以及通过至少在开始第一键合波传播之后抽出该元件来获得第二键合波传播。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 分子 组装 晶片 方法 | ||
【主权项】：
一种通过分子键合来键合两个晶片或衬底(20，30)的方法，该方法包括：a)使待组装的晶片的表面(21，31)至少部分接触，b)从施加到两个晶片的至少其中之一上的压力点(43)引发第一键合波传播(44)，c)在涵盖所述压力点(43)附近的区域引发第二键合波传播(46)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
