[发明专利]改善在介电层和导电层间的黏着力与电致迁移性的方法无效
| 申请号： | 200980115582.5 | 申请日： | 2009-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102017089A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | S·M·李;Y-w·李;谢美晔;夏立群;D·R·威蒂 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 所提供为一种处理基板的方法与设备。处理基板的方法包含：提供一含有导电材料的基板；在导电材料上执行一前处理工艺；流入一硅系化合物至该导电材料上，以形成一硅化物层；在该硅化物层上执行一后处理工艺；以及沉积一阻障介电层在该基板上。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 介电层 导电 黏着 迁移性 方法 | ||
【主权项】：
一种处理基板的方法，包含：提供一基板，其包含一导电材料；在该导电材料上执行一前处理工艺；流入一硅系化合物至该导电材料上以形成一硅化物层；在该硅化物层上执行一后处理工艺；及沉积一阻障介电层在该基板上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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