[发明专利]磁记录介质、制造磁记录介质的方法和磁记录/再现装置无效
| 申请号： | 200980116115.4 | 申请日： | 2009-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN102016988A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 福岛正人 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/72 | 分类号： | G11B5/72;G11B5/65;G11B5/85 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种磁记录介质，其具有磁记录图形，其中通过形成边界区域的凹部来隔离形成磁性层的磁记录区域的凸部。在所述磁性层上，形成连续的碳保护膜。所述凸部上的所述碳保护膜被形成为比所述凹部上的所述碳保护膜厚。所述碳保护膜是通过CVD方法形成的。所述凹部的边界区域优选具有通过将该区域暴露到等离子体等而改性的磁特性。所述磁记录介质的所述磁记录区域不容易被侵蚀，从而所述磁记录介质具有高的环境耐性。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 制造 方法 再现 装置 | ||
【主权项】：
一种磁记录介质，其包括具有磁记录图形的磁性层和所述磁性层上的连续的保护性碳外涂层，所述磁记录图形包括构成磁记录区域的凸起和构成用于分离所述磁记录区域的边界区域的凹陷，所述磁记录介质的特征在于，所述碳外涂层的位于所述磁性层的所述构成磁记录区域的凸起上的部分的厚度大于所述碳外涂层的位于所述磁性层的所述构成边界区域的凹陷上的部分的厚度。
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