[发明专利]选择性的感应双图案化有效
| 申请号： | 200980117766.5 | 申请日： | 2009-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN102027577A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | S·M·列扎·萨贾迪 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H05H1/34;H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 周文强;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种用于形成半导体特征的电感耦合功率(ICP)等离子处理室。提供等离子处理室，包括真空室、至少一个邻近该真空室用以在该真空室提供电感耦合功率的天线、用于在该等离子处理室内支撑硅衬底的衬底支撑件、压强调节器、用于将气体提供到该等离子处理室中的气体入口和用于从该等离子处理室排除气体的气体出口。气体分配系统与该气体入口流体连通，用以提供第一气体和第二气体，其中该气体分配系统可在小于5秒的周期内用该第一气体和该第二气体之一基本上替换该等离子区域中的该第一气体和该第二气体中的另一个。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 感应 图案 | ||
【主权项】：
一种用于形成半导体特征的电感耦合功率(ICP)等离子处理室，包括：等离子处理室，包括：真空室；至少一个天线，邻近该真空室用以在该真空室提供电感耦合功率；衬底支撑件，用以在该等离子处理室内支撑硅衬底；压强调节器，用于调节该等离子处理室内的压强；气体入口，用于将气体提供到该等离子处理室中；以及气体出口，用于从该等离子处理室排除气体；以及气体分配系统，与该气体入口流体连通用以提供第一气体和第二气体，其中该气体分配系统在小于5秒的时间内用该第一气体和该第二气体之一基本上替换该等离子区域中的该第一气体和该第二气体中的另一个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
