[发明专利]用氦气去除浮渣无效
| 申请号： | 200980118478.1 | 申请日： | 2009-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN102037544A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 艾伦·詹森 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 周文强;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造半导体设备的方法。本发明还提供了一种晶片，所述晶片上有图案化的光刻胶掩模，其中所述光刻胶掩模有图案化的光刻胶掩模特征，在所述光刻胶掩模特征的底部有浮渣。将所述浮渣从所述光刻胶掩模特征的底部去除，包括：提供一种主要包括氦气的去除浮渣气体，并使所述氦气形成等离子体，从而去除所述浮渣。 | ||
| 搜索关键词： | 氦气 去除 浮渣 | ||
【主权项】：
一种制造半导体设备的方法，包括：提供晶片，所述晶片上有图案化的光刻胶掩模，其中所述图案化的光刻胶掩模有图案化光刻胶掩模特征，在所述光刻胶掩模特征底部有浮渣；以及从所述光刻胶掩模的所述底部去除所述浮渣，包括：提供主要包含氦气的去除浮渣气体；以及使所述氦气形成等离子体，从而去除所述浮渣。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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