[发明专利]用于增加非易失性存储器中的沟道升压的增强的位线预充电方案有效
| 申请号： | 200980118827.X | 申请日： | 2009-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN102037516A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 董颖达;梅文龙;杰弗里·W·卢兹;佐藤信司;格里特·J·赫明克 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/10;G11C16/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在非易失性存储器中改善沟道升压以减少编程干扰。预充电模块电压源被用于在编程操作期间对位线预充电。预充电模块电压源经由位线耦接到衬底沟道以对沟道升压。通过将来自导电元件的电压电磁耦合到位线和沟道来提供另外的升压源。为了实现此，允许通过将位线与电压源断开使位线和沟道一起浮置。导电元件可以是例如源极线、电源线或者衬底主体，其在预充电期间接收增加的电压，并且靠近位线。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 增加 非易失性存储器 中的 沟道 升压 增强 位线预 充电 方案 | ||
【主权项】：
一种进行编程操作的方法，该编程操作涉及非易失性存储元件(600)的集合和相关位线(610)的集合，所述相关位线的集合包括至少一条已选位线和至少一条未选位线，所述方法包括：在第一时间段(t4‑t8)期间，允许所述至少一条已选位线(504)和所述至少一条未选位线(510)浮置，同时将电压(VSOURCE)从至少一个导电元件(520，620，720)电磁耦合到所述至少一条已选位线和所述至少一条未选位线，并同时允许在所述至少一条未选位线和所述非易失性存储元件的集合的相关沟道区之间的通信；以及在所述第一时间段之后的第二时间段(t10‑t15)期间，驱动所述至少一条已选位线(504)和所述至少一条未选位线(510)，同时阻止在所述至少一条未选位线和所述相关沟道区之间的通信，并将编程电压(VPGM)施加到与所述至少一条已选位线相关的至少一个非易失性存储元件。
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