[发明专利]三维半导体器件结构及方法

摘要

根据本发明一实施例，三维半导体器件结构包括使用图案化导电层接合在一起的第一半导体器件和第二半导体器件。第一半导体器件包括其正面上的第一多个端子，且第二半导体器件包括其正面上的第二多个端子。图案化导电层包括多个导电区。每个导电区接合到耦合到第一多个端子之一的导体并且接合到耦合到第二多个端子之一的另一导体，从而在第一半导体器件和第二半导体器件之间提供电耦合。在具体实施例中，第一半导体器件的每个端子接合到第二半导体器件的对应端子，从而提供第一和第二半导体器件的并联组合。在另一实施例中，使用该第一半导体器件的背面上的一个或多个端子和该第二半导体器件的正面上的一个或多个端子来提供第一和第二半导体器件的并联组合。

主权项

一种三维半导体器件，包括：第一半导体器件，所述第一半导体器件具有在其背面上的第一金属衬底，所述第一金属衬底还用作所述第一半导体器件的第一端子；第一导电结构，其耦合到所述第一金属衬底的背面；第二半导体器件，所述第二半导体器件具有在其正面上的第一和第二端子；第二导电结构，其耦合到所述第二半导体器件的所述第一端子，所述第二导电结构被接合到所述第一导电结构且在所述第一半导体器件和所述第二半导体器件之间提供电接触；第三导电结构，其耦合到所述第二半导体器件的所述第二端子；以及图案化金属层，其位于所述第一和所述第二半导体器件之间，所述图案化金属层包括至少一个第一区，所述第一区被接合到所述第三导电结构以提供外部触点。