[发明专利]提供电性隔离的方法及包含所述方法的半导体结构

摘要

本发明揭示在半导体结构中隔离栅极的方法。在一个实施例中，结合具有大致垂直的侧壁的鳍状物使用间隔物材料来实现隔离。在另一实施例中，使用在所述半导体结构的制造中所利用的各种材料的蚀刻特性来增加有效栅极长度(“Leffective”)及场栅极氧化物。在又一实施例中，在所述半导体结构中形成V形沟槽以增加所述Leffective及所述场栅极氧化物。本发明还揭示通过这些方法形成的半导体结构。

主权项

一种在半导体结构中隔离栅极的方法，其包括：穿过上覆于树底的多种材料形成多个第一沟槽，所述多种材料包括氮化物材料、氧化物支柱材料、蚀刻终止材料及多晶硅材料；在所述多个第一沟槽的侧壁上且上覆于所述氮化物材料、所述氧化物支柱材料、所述蚀刻终止材料及所述多晶硅材料形成间隔物材料；将所述多个第一沟槽至少部分延伸到所述衬底中以形成多个隔离沟槽，所述间隔物材料邻近于所述多晶硅材料、所述蚀刻终止材料、所述氧化物支柱材料及所述氮化物材料而保留于所述多个第一沟槽的所述侧壁上；用填充材料来填充所述多个隔离沟槽；移除所述间隔物材料以邻近于所述多晶硅材料、所述蚀刻终止材料、所述氧化物支柱材料及所述氮化物材料的垂直边缘形成间隙；通过移除所述多晶硅材料及所述蚀刻终止材料以及所述氧化物支柱材料的一部分以形成多个第二沟槽及多个氧化物支柱来扩大所述间隙；以及将所述多个第二沟槽延伸到所述衬底中以形成多个凹入的存取装置沟槽。