[发明专利]低阈值电压反熔丝器件

摘要

提供了独立于核心电路工艺制造技术的一次性可编程存储单元，该一次性可编程存储单元具有带有低阈值电压的反熔丝器件。具有通道晶体管和反熔丝器件的双晶体管存储单元或具有双重厚度栅氧化层的单晶体管存储单元形成在高压阱中，该高压阱是为高压晶体管形成的。反熔丝器件的阈值电压不同于存储器件的核心电路中任何晶体管的阈值电压，但是具有与核心电路中的晶体管相同的栅氧化层厚度。通道晶体管具有与核心电路中的任何晶体管的阈值电压不同的阈值电压，并且具有不同于核心电路中任何晶体管的栅氧化层厚度。通过省略用于在I/O电路中制造的高压晶体管的阈值调整注入中的一些或全部，降低反熔丝器件的阈值电压。

主权项

一种存储器件，包括：存储阵列，包括多个反熔丝存储单元，所述多个反熔丝存储单元中的每一个均包括：存取晶体管，具有在高压阱中形成的厚栅氧化层，所述高压阱是n‑型和p‑型中的一种，以及反熔丝器件，具有在所述高压阱中形成的薄栅氧化层，所述薄栅氧化层具有小于所述厚栅氧化层的厚度；以及核心晶体管，具有在厚度上与所述薄栅氧化层对应的栅氧化层，所述核心晶体管形成在具有与所述高压阱相同类型的低压阱中。