[发明专利]减少半导体器件中在通孔图案化期间的金属盖层的侵蚀的方法无效
| 申请号： | 200980125491.X | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN102077340A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | C·巴尔奇;D·费希尔;M·沙勒 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;靳强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在半导体器件之精密金属化系统中，在通孔开口之图案化期间，该开口(221A)延伸穿过导电盖层(213)，并且建立适当的离子轰击以再分配下层金属区(212)的材料以暴露导电盖层(213)的侧壁部分，由此建立保护材料(212P)。结果，于后续的湿式化学蚀刻制造方法(215)中，可以大大地减少导电盖层(213)之过度材料去除之可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 半导体器件 图案 期间 金属 盖层 侵蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括下列步骤：在介电层(221)中形成开口(271A)从而延伸穿过半导体器件(200)的金属化层(210)的金属区(212)的导电盖层(213)；在该开口(221A)的下部形成保护层(212P)，从而实质上覆盖暴露于该开口(221A)中的该导电盖层(213)的表面区域；以及执行湿式化学清洗制造方法。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
