[发明专利]EUV光刻设备的源模块、光刻设备以及用于制造器件的方法有效
| 申请号： | 200980126024.9 | 申请日： | 2009-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN102084299A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | M·范赫鹏;W·索尔;A·亚库宁 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H05G2/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种用在光刻设备中的源模块(10)被构造以产生极紫外(EUV)和伴随辐射，且包括被配置以与EUV辐射的源协作的缓冲气体。所述缓冲气体对于所述EUV辐射具有至少50％的透射率，对于所述伴随辐射具有至少70％的吸收率。 | ||
| 搜索关键词： | euv 光刻 设备 模块 以及 用于 制造 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用在光刻设备中的源模块，所述源模块被构造成产生极紫外(EUV)辐射和伴随辐射，所述源模块包括被配置以与所述EUV辐射的源协作的缓冲气体，所述缓冲气体对于所述EUV辐射具有至少50％的透射率和对于所述伴随辐射具有至少70％的吸收率。
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