[发明专利]磁记录介质制造方法、磁记录介质和信息存储装置有效
申请号: | 200980128574.4 | 申请日: | 2009-07-16 |
公开(公告)号: | CN102105933A | 公开(公告)日: | 2011-06-22 |
发明(设计)人: | 佐藤贤治;田中努;西桥勉;森田正;渡边一弘 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | G11B5/84 | 分类号: | G11B5/84;G11B5/65;G11B5/673;G11B5/855;H01F10/16;H01F10/32;H01F41/30 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;王凯 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 通过简单的制造方法来实现高记录密度的磁记录介质。所述磁记录介质包括:基板,形成在所述基板上的多个磁性点,以及形成在磁性点之间的点间分隔带。各磁性点具有人工格子结构,在该人工格子结构中在所述基板上交替地层叠多种类型的原子层,并且信息被磁性地记录。各点间分隔带具有与所述磁性点的人工格子结构连续的人工格子结构,所述各点间分隔带通过将离子注入到所述人工格子结构中来形成,并且具有比所述磁性点的饱和磁化强度小的饱和磁化强度。 | ||
搜索关键词: | 记录 介质 制造 方法 信息 存储 装置 | ||
【主权项】:
一种磁记录介质的制造方法,该制造方法包括以下步骤:人工格子形成步骤,在基板上交替地层叠多种类型的原子层而形成具有人工格子结构的磁性膜;以及点间分隔步骤,将离子局部地注入到所述磁性膜的除了要成为磁性点的多个部位以外的其它部位中而降低饱和磁化强度,由此在该磁性点之间形成饱和磁化强度比该磁性点的饱和磁化强度小的点间分隔带,其中所述磁性点分别以磁的方式记录信息。
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