[发明专利]具有低透磁损失的镍锰钴尖晶石铁素体制造方法及由此方法制造的镍锰钴尖晶石铁素体无效
| 申请号： | 200980129444.2 | 申请日： | 2009-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102105417A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 柳秉勋;成元模;安元基 | 申请（专利权）人： | 株式会社EMW |
| 主分类号： | C04B35/28 | 分类号： | C04B35/28 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有低透磁损失和低诱电损失而能够在高频(MHz)中作为电子配件材料多样地利用的尖晶石铁素体制造方法及由此方法制造的尖晶石铁素体。包括提供氧化镍、氧化钴、氧化锰及氧化铁的步骤；在甲醇中加湿混合氧化镍、氧化钴、氧化锰及氧化铁的步骤；从氧化镍、氧化钴、氧化锰及氧化铁混合物中取出粉体而进行干燥的步骤；粉碎干燥的粉体的步骤；及对粉体进行热处理的步骤而制造具有低透磁损失和低诱电损失的镍锰钴尖晶石铁素体。根据本发明制造的镍锰钴尖晶石铁素体能够作为RF用电子配件材料来多样地利用，且如果将这个材料适用到天线上时具有天线的短轴效果增大，天线的带宽(bandwidth)和效率性能提高的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 低透磁 损失 镍锰钴 尖晶石 体制 方法 由此 制造 铁素体 | ||
【主权项】：
一种具有低透磁损失和低诱电损失的尖晶石铁素体制造方法中的镍锰钴尖晶石铁素体制造方法，其特征在于，包括，提供氧化镍、氧化钴、氧化锰及氧化铁的步骤；在甲醇中加湿混合所述氧化镍、所述氧化钴、所述氧化锰及所述氧化铁的步骤；从所述氧化镍、所述氧化钴、所述氧化锰及所述氧化铁混合物中取出粉体进行干燥的步骤；粉碎所述干燥的粉体的步骤；及对所述粉体进行热处理的步骤。
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