[发明专利]用于多裸片封装中的过电压保护的系统和方法无效

专利信息
申请号: 200980130508.0 申请日: 2009-08-12
公开(公告)号: CN102113117A 公开(公告)日: 2011-06-29
发明(设计)人: 礼萨·贾利利塞纳里;斯利克尔·敦迪加尔;维维克·莫汉 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H01L23/60 分类号: H01L23/60;H01L25/065
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种实施于多裸片封装的一个裸片上的保护系统为所述封装的一个或一个以上其它裸片上引发的过电压提供放电路径。为所述封装中具有高噪声敏感度的某些电路提供接地路径,且为所述封装中相对于所述高噪声敏感度电路具有低噪声敏感度的某些电路提供接地路径。多个裸片的高噪声敏感度电路的接地短接在一起,从而产生共同的高噪声敏感度接地。多个裸片的低噪声敏感度电路的接地短接在一起,从而产生共同的低噪声敏感度接地。在所述封装上在所述裸片的外部包含预先指定的可移除路径,所述可移除路径短接所述共同的高噪声敏感度接地和所述共同的低噪声敏感度接地。可在存在于所述经短接接地上的噪声导致不可接受的性能降级的情况下在制造期间移除所述可移除路径。
搜索关键词: 用于 多裸片 封装 中的 过电压 保护 系统 方法
【主权项】:
一种过电压放电系统,其包括:集成电路(IC)封装,其包括第一裸片和第二裸片,所述第一裸片包括第一接地节点和第二接地节点;所述第一裸片进一步包括介于所述第一接地节点与第二接地节点之间的保护电路;所述第二裸片包括第三接地节点和第四接地节点;其中所述第三接地节点短接到所述第一接地节点,从而产生第一跨裸片共同接地,且其中所述第四接地节点短接到所述第二接地节点,从而产生第二跨裸片共同接地;以及预先指定的可移除路径,其用于在所述封装上的在所述第一裸片和第二裸片外部的位置处将所述第一跨裸片共同接地和所述第二跨裸片共同接地短接在一起。
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