[发明专利]对非易失性存储器的选择性擦除操作有效
| 申请号： | 200980133771.5 | 申请日： | 2009-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102138183A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里.W.卢茨;李艳 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克公司 |
| 主分类号： | G11C16/16 | 分类号： | G11C16/16;G11C11/56;G11C16/04;G11C16/14;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 非易失性存储系统可以选择性地对连接到公共字线(或其他类型的控制线)的非易失性存储元件的子集进行一个或多个擦除操作，而不有意擦除连接到公共字线(或其他类型的控制线)而不在该子集中的其他非易失性存储元件。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 选择性 擦除 操作 | ||
【主权项】：
一种用于调节非易失性存储器的方法，包括：将沟道区域的第一集合升压到用于非易失性存储元件的第一集合的第一电压范围，而不将沟道区域的第二集合升压到用于非易失性存储元件的第二集合的所述第一电压范围，所述沟道区域的第一集合和所述沟道区域的第二集合是公共衬底区域的部分；以及向所述非易失性存储元件的第一集合和所述非易失性存储元件的第二集合施加公共使能电压以便降低所述非易失性存储元件的第一集合的阈值电压，而不有意降低所述非易失性存储元件的第二集合的阈值电压。
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