[发明专利]半导体存储器件

摘要

为了实现不会使存储单元的面积增大地增大存储单元中的单位面积电容值的半导体存储器件，存储单元包括晶体管、存储元件、第一电容器和第二电容器。第一电容器包括晶体管中所包括的半导体膜、栅极绝缘膜和栅电极，并且与晶体管同时形成。第二电容器包括存储元件中所包括的电极和在电极上形成的绝缘膜和电极。并且，第二电容器是在第一电容器上形成的。这样，形成与存储元件并联连接的第一电容器和第二电容器。

主权项

一种包含存储单元的半导体器件，所述存储单元包含：晶体管，其包括第一半导体膜、在所述第一半导体膜上的栅极绝缘膜、在所述栅极绝缘膜上的栅电极、源电极、和漏电极；存储元件，其包括第一电极、在所述第一电极上的第二半导体膜、和在所述第二半导体膜上的第二电极；第一电容器，其包括第三电极、在所述第三电极上的第一绝缘膜、和在所述第一绝缘膜上的第四电极；以及在所述第一电容器上的第二电容器，所述第二电容器包括第五电极、在所述第五电极上的第二绝缘膜、和在所述第二绝缘膜上的第六电极，其中所述源电极和所述漏电极之一与所述第二电极、所述第三电极和所述第五电极电连接，其中所述第一电极与所述第四电极和所述第六电极电连接，其中所述栅极绝缘膜和所述第一绝缘膜是使用相同材料形成的，其中所述栅电极、所述第一电极和所述第四电极是使用相同材料形成的，并且其中所述源电极、所述漏电极、所述第二电极和所述第五电极是使用相同材料形成的。