[发明专利]磁记录介质的制造方法有效
| 申请号： | 200980136655.9 | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102160116A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 西桥勉;渡边一弘;森田正;佐藤贤治;田中努;涡卷拓也 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李浩;王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 制造磁图案的对比度高的磁记录介质。通过改变用于加速处理气体的离子的加速电压，即便作为抗蚀剂(49)的薄膜部分的离子透过部(48)的膜厚减少，也能够将目标元素的注入量为最大的距磁性层(44)的深度(峰值深度D0、D1)设为设定的深度。通过将峰值深度(D0、D1)设为设定的深度，将磁性膜(44)的处理部(43)从表面非磁性化至背面，并分离磁性部，因而得到磁图案的对比度高的磁记录介质。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁记录介质的制造方法，其特征在于，在具有基板、和配置在所述基板表面上的磁性膜的处理对象物的所述磁性膜上，配置具有离子遮蔽部、和膜厚比所述离子遮蔽部薄的离子透过部的抗蚀剂；使处理气体的离子加速，使所述处理气体的构成元素透过所述离子透过部，向所述磁性膜的所述离子透过部所在的处理部注入所述构成元素，使其非磁性化；改变用于加速所述处理气体的离子的加速电压，从而使所述处理部非磁性化。
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