[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效

专利信息
申请号: 200980138116.9 申请日: 2009-09-17
公开(公告)号: CN102165578A 公开(公告)日: 2011-08-24
发明(设计)人: 热海知昭 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;G06F17/50;H01L21/822;H01L27/04
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 朱海煜;王忠忠
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 为了减小分频电路中、特别在多级分频电路中的电流消耗,在多级分频电路中,输入的信号在前级具有更高的频率,并且输入的信号在下一级具有更低的频率。从而,布局优先从对应于具有更高频率的信号输入到其中的分频电路的基本单元执行,并且然后执行接线连接。也就是说,执行对应于多级分频电路的多个基本单元的布置,使得如与具有更低频率的信号输入到其中的接线比较,具有更高频率的信号输入到其中的接线具有更短的接线长度并且具有与其他接线的更少交叉,使得接线的寄生电容和寄生电阻减少。
搜索关键词: 用于 制造 半导体器件 方法
【主权项】:
一种用于制造具有包括第一至第n级的多级分频电路的半导体器件的方法,所述多级分频电路通过将第一信号输入到所述多级分频电路中而将所述第一信号转换成具有比所述第一信号更低频率的第二信号,其中所述第一至第n级电连接成使得前级分频电路的输出变成下一级分频电路的输入,其中对应于所述前级分频电路的基本单元和对应于所述下一级分频电路的基本单元布局成使得所述前级分频电路的接线的寄生电容或电连接到所述前级分频电路的接线的寄生电容小于所述下一级分频电路的接线的寄生电容或电连接到所述下一级分频电路的接线的寄生电容。
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