[发明专利]分立半导体器件和形成密封沟槽结终端的方法有效
| 申请号： | 200980138445.3 | 申请日： | 2009-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN102171826A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | R·R·鲍曼 | 申请（专利权）人： | 特里昂科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;卢江 |
| 地址： | 美国阿*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种分立半导体器件具有基板，其具有第一导电类型的半导体材料。第一半导体层在该基板上形成。该第一半导体层具有第一导电类型的半导体材料。第二半导体层在第一半导体层上。该第二半导体层具有第二导电类型的半导体材料。沟槽穿过该第二半导体层形成且延伸到该第二半导体层中。沟槽具有圆形或多边形形状以及垂直侧壁。沟槽衬有绝缘层且填充有绝缘材料。该第一和第二半导体层之间的边界形成p-n结。该沟槽环绕该p-n结以终止在该第二半导体层上强加的电压的电场。该分立半导体器件还可以是晶体管、晶闸管、三端双向可控硅开关元件或瞬时电压抑制器。 | ||
| 搜索关键词： | 分立 半导体器件 形成 密封 沟槽 终端 方法 | ||
【主权项】：
一种分立半导体器件，包含：包括第一导电类型的半导体材料的基板；在该基板上形成的第一半导体层，该第一半导体层具有第一导电类型的半导体材料；在该第一半导体层上形成的第二半导体层，该第二半导体层具有与第一导电类型的半导体材料相反的第二导电类型的半导体材料；以及穿过该第二半导体层形成且延伸到该第二半导体层中的沟槽，该沟槽衬有绝缘层且填充有绝缘材料。
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