[发明专利]补偿在非易失性存储器中的读操作期间的耦合有效
| 申请号： | 200980139823.X | 申请日： | 2009-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN102177554A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 迪潘舒.达塔;杰弗里.W.卢茨;董颖达;亨利.钦;石垣达 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及通过调整施加到相邻的位线的电压来补偿与在相邻的位线上的存储元件的电容性耦合。进行初始的粗糙读来确知位线-相邻的存储元件的数据状态，且在随后的精细读期间，基于确知的状态和施加到所选字线的当前控制栅极读电压来设置位线电压。当当前控制栅极读电压对应于比相邻的存储元件的确知的状态更低的数据状态时，使用补偿的位线电压。还可以通过向相邻的字线施加不同的读通过电压，并使用基于字线相邻的存储元件的数据状态而识别的具体读通过电压来获得读的数据来提供与相邻的字线上的存储元件的耦合的补偿。 | ||
| 搜索关键词： | 补偿 非易失性存储器 中的 操作 期间 耦合 | ||
【主权项】：
一种用于操作非易失性存储器的方法，包括：读所选存储元件(625)的至少一个位线‑相邻的存储元件(621、624、623、626)来确知所述至少一个位线‑相邻存储元件的数据状态，所述至少一个位线‑相邻存储元件和所选存储元件与各个位线(BLi‑1、BL、BLi+1)相关联；以及读所选存储元件来确知所选存储元件的数据状态，包括向所选存储元件一次一个地施加不同的控制栅极读电压(VCGR‑A、VGR‑B、VCGR‑C)，同时基于其确知的数据状态和控制栅极读电压来设置所述至少一个位线‑相邻存储元件的各个位线的电压(VBL0‑VBL3；VBL‑E；VBL‑A2、VBL‑A3；VBL‑B1、VBL‑B2、VBL‑B3；VBL‑C1、VBL‑C2、VBL‑C3)。
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