[发明专利]用于应变半导体器件的渐变高锗化合物膜有效
| 申请号： | 200980139832.9 | 申请日： | 2009-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102171794A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | D·西蒙耐利;A·莫西 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文总体披露了提供渐变的高锗化合物区的装置和方法的实施例。描述和要求保护其它的实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 应变 半导体器件 渐变 化合物 | ||
【主权项】：
一种形成晶体化合物膜的方法，包括：选择性地形成低锗含量籽晶层；在所述低锗含量籽晶层上选择性地形成过渡层，所述过渡层是在将处理温度从第一温度递减至第二温度的同时形成的；以及在所述过渡层上选择性地形成高锗含量层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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